Внимание! От данной установки сохранились только часть компонентов, они представлены в экспозиции музея. Если у Вас в распоряжении есть списанная или неиспользуемая такая установка — сообщите пожалуйста нам Контакты.
1986 г. СССР
г. Минск, Завод «Планар»
Я2М2.252.169
Установка предназначена для совмещения изображений на фотошаблоне и полупроводниковой пластине и переноса изображения с фотошаблона на пластину контактным экспонированием фоторезистивного слоя пластины при фотолитографических процессах изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Технические характеристики:
- Диаметр полупроводниковых пластин 16/20/25/30/40/50/60 мм
- Материал пластин арсенид галлия
- Толщина пластин 0,2- 0,8 мм
- Размеры фотошаблонов 76х76, 102х102 мм
- Тип применяемого фоторезиста ЭЛП-9
- Толщина слоя фоторезиста не более 0,5 мкм
- Размер минимального элемента изображения не более 0,7 мкм
на пластинах диаметром 40, 50, 60 мм - Производительность, не менее 10 пластин в час
- Масса установки не более 350кг
Установка разработана для изготовления приборов с минимальными элементами 0,7 мкм на пластинах диаметром 40,50 и 60 мм и может быть использована для изготовления приборов с минимальными элементами 0,4 мкм на пластинах диаметром 16,20 мм и минимальными элементами 0,5 мкм на пластинах диаметром 25, 30 мм.
Установка разработана для работы в спектральном диапазоне 225-260 нм и может быть перенастроена путем перестановки отклоняющих зеркал на следующие диапазоны 280-335 и 350-450 нм.
Основные компоненты установки
- Блок подготовки воздуха и воды 3.397.289
- Устройство совмещения и экспонирования 3.773.732, в том числе:
микроскоп совмещения 3.842.296,
устройство вентиляции 3.384.120 - Комплект устройства управления 3.628.344, в том числе:
блок питания лампы ДРКс-500 3.508.931,
блок управления 3.556.044,
пульт управления 3.861.554 - Подставка 4.136.086
- Стол 4.138.056-01
Литература
- Установка совмещения и экспонирования ЭМ-5026. Техническое описание и инструкция по эксплуатации Я2М2.252.169 ТО 1986 год