Установка совмещения и экспозиции 830-03

1970 г., ГДР, г. Дрезден,

Завод VEB ELEKTROMAT DRESDEN

С помощью этой установки можно получить при экспонировании любые полупроводниковые структуры на полупроводниковых пластинах, покрытых фоторезистом.
(из технического описания АМК 830-03)

Технические характеристики:

• Диаметр полупроводниковых пластин — не более 36мм
• Толщина пластин — не более 0,51 мм
• Материал пластин — кремний, германий и др.
• Размер фотошаблона 50х50 мм
• Точность совмещения 0,4 мкм

Время экспонирования устанавливается в диапазонах
5-120 сек. и 0,5-6 мин.